삼성전자, 美오스틴 시스템LSI 라인 풀가동

지난해 8월 S2라인 건설을 시작한 삼성전자는 계획보다 1개월 앞당겨 올해 3월 완공했고, 5월 제품출하 5개월 만에 풀가동에 들어갔다.

이는 팹(FAB, 제조라인) 건설에 7개월, 램프 업(Ramp-up, 생산량 확대)에 5개월 밖에 걸리지 않은 셈이다.

최첨단 300mm 자동화 라인으로 45나노 공정의 저전력 로직IC를 생산하는 S2라인은 월 4만장의 웨이퍼를 생산하는 능력을 갖췄다.

이로써 삼성전자는 국내 기흥캠퍼스와 미국 오스틴을 잇는 글로벌 시스템LSI 생산라인을 구축하며 고속 성장하는 시스템LSI 시장에 적극 대응할 수 있게 됐다.

반도체 생산라인은 높은 수준의 청정 상태와 일정한 온·습도를 유지하기 위해 제조 환경 조성에 많은 시간과 비용이 들어간다.

삼성전자는 철저한 사전조사로 최적화된 설비와 공정 조건을 갖추고 시행착오 없이 안정적 수율을 확보해 가동 시기를 단축했다.

삼성전자 DS사업총괄 시스템LSI사업부의 하상록 상무는 “환경이 전혀 다른 해외사업장에 단기간에 국내 생산라인과 동일한 생산체제를 구축할 수 있었던 것은 앞선 기술과 현장 임직원들의 노력 덕분.”이라고 말했다.